トランジスタ式ミニワッター Part5 アイドリングでハマる編

さてさて、注文していた放熱板とDCアダプタが届きました。
早速取り付けてっと

なかなか、コンパクトにまとまっていい感じです。
早速アイドル電流を測ってみます。
放熱板が全て実装されてテスターが入りづらくなったので、今度は片側のみの0.68Ωの両端の電圧からアイドル電流を出すことにします。

電源を入れた直後です。75.5mVですからアイドルは111mAになります。若干多目ですが様子を見てみることにします。
30分ぐらいすると93mV,136mAを超えてしまいました。そしてその後もじわりじわりと上がって行きそうな感じです。この時のコレクタ損失は1012mWですから12V電源の時の倍以上になってしまいました。どうやら、発熱に対して放熱が追いついていないような印象です。流石にこのままでは熱暴走してまずそうです。電源を切って対策を考えてみることにしました。
そうだ、1N4007のVfを選別してなるべく低いものを使ってなおかつヒートシンクと熱結合させてみよう。

銅箔テープを巻きつけて熱結合を密にしてみました。

２時間ぐらい使った後で、一応このくらいで、安定したようです。87.5mVですから、アイドル電流は128mA程度で安定したようです。この状態で、放熱板を触ると電流が下がります。息を吹きかけると、微妙に反応してアイドルが増えて、そして下がります。かなり温度に敏感なようです。Pcも１W程度とヒートシンク付けない時の定格を上回る勢いです。
やっぱり、素直にUF2010をバイアスに使ったほうがいいのかな。。。
なんだか、ちょこちょこと部品を発注していて、送料がもったいないのですが。。。

写真右は外した1N4007,左はUF2010のVf
結構違うもんだなぁ。。。
UF2010に置き換えて見ます。

うわ、今度は低すぎる。。。37.6mV,55.3mA多分、これでもアンプとしての特性は問題ないのだろうと思いますが、なんだか気になります。
どうしようか。。。。
試しにUF2010と1N4007を混在させてみよう。１本はUF2010、もう1本は1N4007で直列なのだから問題ないだろう。ちょうどいい感じになるのを期待して。。

30分以上電源を入れっぱなしにしてみて、55.9mV,82mAのアイドル電流で落ち着きました。なんだか異種のダイオードをバイアス用に使うのは見た目的に気持ち悪い気がしますが、ちょうどいい感じのアイドル電流にできたので良しとしよう。。。

これで、アンプの基盤は完成というこで。。。
さて、ケーシングはいつになることやら。。。