表題のごとくFDT86256
を使うべく、アリエクの安いところに発注しました。
首をながーくして待っていたのです。
さぁ、やっと届きました。
で・・・トランジスタテスタにかけたところ
1.42nF=1420pFとな。。。。
たしか
55pFのはず・・・・・
こりゃ、偽物だ！
10個で300円しないなんて、まぁ偽物でしょうね(´;ω;｀)
ってとこですが・・・・￥
あきらめて、Digkeyに正規品を頼んでしまいました。
その時についでに47VのZennerDiodeも・・・・
IN4756Aです。
IN4756AはPAの保護用。
主な仕様と特徴ツェナー電圧 (\(V_{Z}\)): 47V許容損失 (\(P_{D}\)): 1W静電容量 (\(C_{J}\)): 約95pF（\(V_R = 0V\), f = 1MHz 時の典型的なグラフ値）
IRLML2060やBS170なんかを使うときの保護用のものです。
詳細は↓ (便利になったもんだ)
保護用ダイオードについてのGeminiの回答
この用途における静電容量（約95pF）の影響と、実装時の注意点は以下の通りです。
1. 静電容量（約95pF）のPAへの影響
- 高域（28MHz帯など）への影響は軽微
(tr)uSDXはHF帯（3.5MHz〜28MHz等）をカバーするQRP機ですが、約95pFという容量はHF帯のローパスフィルター（LPF）や、BS170自体の持つ出力容量（\(C_{oss}\)：3個並列で約70〜90pF）に対して、十分に外付け可能な許容範囲内です。実際、海外の実験例でも「80mから10m（3.5MHz〜28MHz）まで、ダイオード追加前後で出力の低下はほぼ見られなかった」と報告されています。 [1] - なぜ47Vなのか
BS170のドレイン・ソース間耐圧（\(V_{DSS}\)）は60Vです。アンテナ不整合（高SWR）やオープン状態で送信すると、ドレインに電源電圧の数倍（50V以上）のスパイク電圧が発生し、一瞬でBS170が破損します。47Vのツェナーを入れることで、60Vに達する前に電圧をクランプし、FETを確実に保護できます。 [1]
2. 実装時の重要な注意点（熱対策）
- 1N4756Aは「1W品」であること
高SWR時にFETの代わりにエネルギーを吸収するため、ツェナーダイオード自体が非常に激しく発熱します。 - 短時間のクランプに留める
1W品（DO-41パッケージ）のサイズでは、ミスマッチ状態で連続して送信し続けると、ダイオード自体が熱でショート破壊（またはオープン破壊）します。あくまで「うっかりアンテナを繋ぎ忘れた」「チューニング中に一瞬ミスマッチが起きた」という瞬間のスパイクからFETを守るためのものです。過度な過大入力や長時間の不整合送信は避けてください。
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